BD242CG ON-Semiconductor
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor PNP; 25; 40W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: TIP32C; BD244C; BD242CG; BD242C STM; BD242C; BD242CG TBD242c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD242CG ON-Semiconductor
Description: ONSEMI - BD242CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD242CG за ціною від 21.66 грн до 89.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD242CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BD242CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BD242CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BD242CG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Current gain: 25 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BD242CG | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 4406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BD242CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD242CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
BD242CG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 40W PNP |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD242CG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 28.01 грн |
| BD242CG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 851+ | 41.50 грн |
| 1000+ | 38.27 грн |
| BD242CG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 851+ | 41.50 грн |
| 1000+ | 38.27 грн |
| BD242CG |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Current gain: 25
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Current gain: 25
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 80.20 грн |
| 10+ | 43.26 грн |
| 50+ | 34.56 грн |
| 100+ | 31.55 грн |
| BD242CG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 40 W
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.16 грн |
| 50+ | 40.07 грн |
| 100+ | 35.60 грн |
| 500+ | 26.03 грн |
| 1000+ | 23.66 грн |
| 2000+ | 21.66 грн |
| BD242CG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD242CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD242CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)