BD242CG ON Semiconductor
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 23.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD242CG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD242CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BD242CG за ціною від 21.59 грн до 107.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD242CG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD242CG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 16252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD242CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD242CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD242CG | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Current gain: 25 Collector current: 3A Power dissipation: 40W Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 3MHz Polarisation: bipolar |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD242CG | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Current gain: 25 Collector current: 3A Power dissipation: 40W Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 3MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD242CG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 40W PNP |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD242CG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD242CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BD242CG | Виробник : ON-Semicoductor |
PNP 3A 100V 40W 3MHz Replacement: TIP32C, BD244C, BD242CG BD242C TBD242c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BD242CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BD242CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BD242CG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
товару немає в наявності |