Технічний опис BD244B ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 65 W.
Інші пропозиції BD244B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BD244B | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 65 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 900 шт В кошику од. на суму грн. |
|
BD244B | Bourns |
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
BD244B | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
BD244B | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
BD244B | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BD244B |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 65 W
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BD244B |
![]() |
Виробник: Bourns
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD244B |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD244B |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD244B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





