BD244B
Виробник:
на замовлення 16348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD244B
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 65 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole.
Інші пропозиції BD244B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BD244B | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220 Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power - Max: 65 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 700µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 900 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BD244B | Bourns |
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
BD244B | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
BD244B | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
BD244B | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BD244B |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 65 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 65 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BD244B |
|
Виробник: Bourns
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD244B |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD244B |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD244B |
|
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.