Технічний опис BD28C57HFJ-EVK-001 Rohm Semiconductor
Power Management IC Development Tools Evaluation board outputs an isolated voltage of 24 V from an input of 300 VDC to 900 VDC, and the maximum output current is 2 A. A SiC MOSFET (SCT12H12NZ) with 1700 V, RdsON = 1.1 ohm typ.
Інші пропозиції BD28C57HFJ-EVK-001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BD28C57HFJ-EVK-001 | ROHM Semiconductor |
 Power Management IC Development Tools Evaluation board outputs an isolated voltage of 24 V from an input of 300 VDC to 900 VDC, and the maximum output current is 2 A. A SiC MOSFET (SCT12H12NZ) with 1700 V, RdsON = 1.1 ohm typ |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD28C57HFJ-EVK-001 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Power Management IC Development Tools Evaluation board outputs an isolated voltage of 24 V from an input of 300 VDC to 900 VDC, and the maximum output current is 2 A. A SiC MOSFET (SCT12H12NZ) with 1700 V, RdsON = 1.1 ohm typ
Power Management IC Development Tools Evaluation board outputs an isolated voltage of 24 V from an input of 300 VDC to 900 VDC, and the maximum output current is 2 A. A SiC MOSFET (SCT12H12NZ) with 1700 V, RdsON = 1.1 ohm typ
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)