Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD435G
BD435G

BD435G ON Semiconductor

bd437-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD435G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 32V 4A TO-126, Power - Max: 36 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-126, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BD435G за ціною від 26.41 грн до 29.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BD435G BD435G ON Semiconductor bd437-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 535 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435G BD435G onsemi bd437-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435G ONSEMI ONSM-S-A0011394656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD435G - TRANS, NPN, 32V, 4A, 150DEG C, 36W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435G bd437-d.pdf
BD435G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
535+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 535 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435G bd437-d.pdf
BD435G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
704+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD435G ONSM-S-A0011394656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD435G - TRANS, NPN, 32V, 4A, 150DEG C, 36W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.