BD435G ON Semiconductor
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 535+ | 23.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD435G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 32V 4A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 36 W.
Інші пропозиції BD435G за ціною від 24.82 грн до 31.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD435G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BD435G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 3095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| BD435G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD435G - TRANS, NPN, 32V, 4A, 150DEG C, 36W tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
BD435G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
BD435G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 36 W |
товару немає в наявності |
|||||
 |
BD435G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 22V |
товару немає в наявності |