Продукція > ONSEMI > BD436S
BD436S

BD436S onsemi

BD438-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 299 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.99 грн
10+72.87 грн
100+41.74 грн
500+32.81 грн
1000+28.00 грн
2000+25.45 грн
4000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD436S onsemi

Description: TRANS PNP 32V 4A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 36 W.

Інші пропозиції BD436S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BD436S BD436S onsemi BD438-D.PDF Description: TRANS PNP 32V 4A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436S BD436S ONSEMI BD438-D.pdf Description: ONSEMI - BD436S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 36
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 32
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436S ON Semiconductor BD438-D.PDF Trans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436S BD438-D.PDF
BD436S
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 32V 4A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD436S BD438-D.pdf
BD436S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD436S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 36
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 32
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD436S BD438-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.