Технічний опис BD436STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD436STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BD436, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BD436STU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD436STU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
BD436STU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD436STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BD436 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD436STU |
|
на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD436STU |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BD436STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD436STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BD436
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BD436STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BD436
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




