
BD437G ON Semiconductor
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
26+ | 23.97 грн |
27+ | 22.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD437G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD437G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 4 A, 36 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BD437G за ціною від 23.91 грн до 103.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD437G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BD437G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 9065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BD437G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BD437G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BD437G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BD437G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BD437G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 85...375 Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BD437G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 85...375 Frequency: 3MHz |
товару немає в наявності |