 
BD437G ON Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 500+ | 28.87 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD437G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD437G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 4 A, 36 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції BD437G за ціною від 26.12 грн до 113.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | BD437G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - BD437G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 4 A, 36 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5397 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | BD437G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 45V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 36 W | на замовлення 2354 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | BD437G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT 4A 45V 36W NPN | на замовлення 4222 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | BD437G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | BD437G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | BD437G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO225 Current gain: 85...375 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz | товару немає в наявності |