Технічний опис BD438S ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD438S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 36W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD438S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BD438S | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BD438S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 36W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BD438S | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD438S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD438S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD438S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BD438S |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)