BD438S ON Semiconductor
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 19.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD438S ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD438S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BD438S за ціною від 22.86 грн до 89.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD438S | Виробник : onsemi / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD438S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD438S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD438S | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 4A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD438S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BD438S | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 4A; 36W; TO126ISO Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO126ISO Current gain: 30...140 Mounting: THT Frequency: 3MHz Kind of package: bulk кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BD438S | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 4A; 36W; TO126ISO Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO126ISO Current gain: 30...140 Mounting: THT Frequency: 3MHz Kind of package: bulk |
товару немає в наявності |