BD439G ON Semiconductor
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 30.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD439G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BD439G за ціною від 23.00 грн до 109.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD439G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD439G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD439G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD439G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 19195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD439G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 36W NPN |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD439G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BD439G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BD439G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 4A Case: TO225 Mounting: THT Frequency: 3MHz Current gain: 40...475 Power dissipation: 36W Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BD439G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 4A Case: TO225 Mounting: THT Frequency: 3MHz Current gain: 40...475 Power dissipation: 36W Kind of package: bulk |
товару немає в наявності |