Технічний опис BD439S ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 36 W.
Інші пропозиції BD439S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BD439S | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT NPN TRANS TO-126 |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
BD439S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
BD439S | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 36 W |
товару немає в наявності |