Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BD442G за ціною від 40.02 грн до 149.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD442G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BD442G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 40...475 Frequency: 3MHz |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BD442G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BD442G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BD442G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 36W PNP |
на замовлення 12565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BD442G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD442G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 424 шт В кошику од. на суму грн. |
| BD442G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 249+ | 56.80 грн |
| BD442G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 40...475
Frequency: 3MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 40...475
Frequency: 3MHz
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 78.40 грн |
| 10+ | 47.90 грн |
| BD442G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.51 грн |
| 10+ | 61.13 грн |
| 100+ | 40.67 грн |
| BD442G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 149.15 грн |
| 10+ | 94.23 грн |
| 100+ | 62.69 грн |
| 500+ | 47.42 грн |
| 1000+ | 40.02 грн |
| BD442G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 36W PNP
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 36W PNP
на замовлення 12565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BD442G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD442G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BD442G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





