Технічний опис BD535 ST
Description: TRANS NPN 60V 8A TO220, Power - Max: 50 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Supplier Device Package: TO-220, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції BD535
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BD535 | STM |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
BD535 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 8A TO220Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Supplier Device Package: TO-220 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BD535 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
BD535 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BD535 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 8A TO220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 60V 8A TO220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD535 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD535 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



