BD537KTU onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 12MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD537KTU onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 12MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 50 W.
Інші пропозиції BD537KTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BD537KTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BD537KTU |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



