BD679AS ON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 20.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD679AS ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції BD679AS за ціною від 18.08 грн до 90.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD679AS | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin TO-126 Bag |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD679AS | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 5811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD679AS | Виробник : onsemi / Fairchild |
Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 23666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD679AS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin TO-126 Bag |
товару немає в наявності |