
BD681G ON Semiconductor
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 23.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD681G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції BD681G за ціною від 27.90 грн до 121.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD681G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 13194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |