 
BD681STU ONSEMI
 Виробник: ONSEMI
                                                Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - BD681STU - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Wandlerpolarität: NPN
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD681STU ONSEMI
Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 40 W. 
Інші пропозиції BD681STU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
| BD681STU | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |  Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 40; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 4 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-126-3 | на замовлення 107 шт:термін постачання 3 дні (днів) | ||
|   | BD681STU | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | |
|   | BD681STU | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | |
|   | BD681STU | Виробник : onsemi / Fairchild |  Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil | товару немає в наявності |