BD682T ON Semiconductor
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
60+ | 205.68 грн |
71+ | 173.48 грн |
100+ | 158.19 грн |
250+ | 132.50 грн |
500+ | 103.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD682T ON Semiconductor
Description: TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції BD682T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD682T | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
товару немає в наявності |