Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BD809G

BD809G

bd809-d.pdf
Код товару: 164130
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BD809G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD809G On Semiconductor bd809-d.pdf TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD809G BD809G onsemi bd809-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 1.5MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 90 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD809G BD809G onsemi BD809_D-1802218.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD809G bd809-d.pdf
Виробник: On Semiconductor
TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD809G bd809-d.pdf
BD809G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 1.5MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 90 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD809G BD809_D-1802218.pdf
BD809G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.