BD809G ON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 46.05 грн |
| 25+ | 44.98 грн |
| 50+ | 42.53 грн |
| 100+ | 38.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD809G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 1.5MHz, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 90 W.
Інші пропозиції BD809G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
BD809G Код товару: 164130
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||
 |
BD809G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
BD809G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 1.5MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 90 W |
товару немає в наявності |
|
 |
BD809G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN |
товару немає в наявності |