Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > BD810G

BD810G

bd809-d.pdf
Код товару: 164216
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BD810G за ціною від 40.20 грн до 40.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD810G BD810G Виробник : onsemi bd809-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
543+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 543
В кошику  од. на суму  грн.
BD810G Виробник : On Semiconductor BD810.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD810G BD810G Виробник : onsemi bd809-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD810G BD810G Виробник : onsemi bd809-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.