Продукція > ONSEMI > BD810G
BD810G

BD810G onsemi

bd809-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
543+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 543
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD810G onsemi

Description: TRANS PNP 80V 10A TO220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 1.5MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 90 W.

Інші пропозиції BD810G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD810G
Код товару: 164216 		bd809-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
BD810G BD810G Виробник : ON Semiconductor bd809-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
BD810G BD810G Виробник : onsemi bd809-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
товару немає в наявності
BD810G BD810G Виробник : onsemi BD809_D-2310515.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W PNP
товару немає в наявності