BDP954E6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BDP954E6327 Infineon Technologies
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 5 W.
Інші пропозиції BDP954E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BDP 954 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR |
товару немає в наявності |