BDP948H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 21.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BDP948H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 3A PG-SOT223-4-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 5 W.
Інші пропозиції BDP948H6327XTSA1 за ціною від 20.24 грн до 34.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BDP948H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans GP BJT PNP 45V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BDP948H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BDP948H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BDP948H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
BDP948H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 45V 3A PG-SOT223-4-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 5 W |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
BDP948H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
товару немає в наявності |