Інші пропозиції BDP950H6327XTSA1 за ціною від 25.97 грн до 30.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BDP950H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans GP BJT PNP 60V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BDP950H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BDP950H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
BDP950H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 3A PG-SOT223-4-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 5 W |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
BDP950H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
товару немає в наявності |