BDP953H6327XTSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BDP953H6327XTSA1; BDP953H6327XT; BDP953H6327XTSA1 TBDP953
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 32.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BDP953H6327XTSA1 Infineon
Description: TRANS NPN 100V 3A PG-SOT223-4-10, Power - Max: 5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BDP953H6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BDP953H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BDP953H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)