Інші пропозиції BDV65B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BDV65B | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |
|
BDV65B | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-218 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |
||
BDV65B | Виробник : Bourns |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
BDV65B | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
|
BDV65B | Виробник : Central Semiconductor |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |