Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > BDV65BG

BDV65BG

bdv65b-d.pdf
Код товару: 185363
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BDV65BG

  • DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-93
  • Transistor Type:Bipolar Darlington
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
  • Max Current Ic Continuous a:12A
  • Max Voltage Vce Sat:2V
  • Power Dissipation:125W
  • Min Hfe:1000
  • Case Style:SOT-93
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:TO-218
  • Av Current Ic:12A
  • Current Ic hFE:5A
  • Device Marking:BDV65B
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:12A
  • Max Power Dissipation Ptot:125W
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Voltage Vcbo:100V

Інші пропозиції BDV65BG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BDV65BG On Semiconductor bdv65b-d.pdf description NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDV65BG BDV65BG onsemi bdv65b-d.pdf description Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDV65BG BDV65BG onsemi bdv65b-d.pdf description Darlington Transistors 10A 100V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDV65BG description bdv65b-d.pdf
Виробник: On Semiconductor
NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDV65BG description bdv65b-d.pdf
BDV65BG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDV65BG description bdv65b-d.pdf
BDV65BG
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 10A 100V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.