BDV65BG ON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 264+ | 115.91 грн |
| 500+ | 103.71 грн |
| 1000+ | 95.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BDV65BG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BDV65BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-247, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BDV65BG за ціною від 187.82 грн до 234.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BDV65BG | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BDV65BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BDV65BG Код товару: 185363
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||||||||
 |
BDV65BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
BDV65BG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
BDV65BG | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 10A 100V Bipolar Power NPN |
товару немає в наявності |