BDV65BG
Код товару: 185363
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BDV65BG
- DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-93
- Transistor Type:Bipolar Darlington
- Transistor Polarity:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
- Max Current Ic Continuous a:12A
- Max Voltage Vce Sat:2V
- Power Dissipation:125W
- Min Hfe:1000
- Case Style:SOT-93
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:TO-218
- Av Current Ic:12A
- Current Ic hFE:5A
- Device Marking:BDV65B
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:12A
- Max Power Dissipation Ptot:125W
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Voltage Vcbo:100V
Інші пропозиції BDV65BG за ціною від 110.84 грн до 134.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BDV65BG | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BDV65BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDV65BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BDV65BG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 264+ | 134.06 грн |
| 500+ | 119.95 грн |
| 1000+ | 110.84 грн |
| BDV65BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDV65BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BDV65BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




