BDV65BG
Код товару: 185363
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BDV65BG
- DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-93
- Transistor Type:Bipolar Darlington
- Transistor Polarity:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
- Max Current Ic Continuous a:12A
- Max Voltage Vce Sat:2V
- Power Dissipation:125W
- Min Hfe:1000
- Case Style:SOT-93
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:TO-218
- Av Current Ic:12A
- Current Ic hFE:5A
- Device Marking:BDV65B
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:12A
- Max Power Dissipation Ptot:125W
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Voltage Vcbo:100V
Інші пропозиції BDV65BG за ціною від 109.35 грн до 227.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BDV65BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BDV65BG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDV65BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| BDV65BG | Виробник : On Semiconductor |
NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
BDV65BG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
BDV65BG | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 10A 100V Bipolar Power NPN |
товару немає в наявності |