Інші пропозиції BDW42G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BDW42G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BDW42G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 85 W |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BDW42G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BDW42G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 15A; 85W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 15A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
товару немає в наявності |