BDX53BG ON Semiconductor
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 36.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BDX53BG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-220, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BDX53BG за ціною від 24.5 грн до 77.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BDX53BG | Виробник : onsemi |
 Darlington Transistors 8A 80V Bipolar Power NPN |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BDX53BG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 65 W |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BDX53BG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BDX53BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 8A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BDX53BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 8A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BDX53BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 8A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BDX53BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 8A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BDX53BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 8A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |