BF1201WR,135 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 400MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 29dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: CMPAK-4
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 10 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 15 mA
на замовлення 990000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1268+ | 19.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF1201WR,135 NXP USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Current Rating (Amps): 30mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 400MHz, Configuration: N-Channel Dual Gate, Gain: 29dB, Technology: MOSFET, Noise Figure: 1dB, Supplier Device Package: CMPAK-4, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 10 V, Voltage - Test: 5 V, Current - Test: 15 mA.
Інші пропозиції BF1201WR,135 за ціною від 17.74 грн до 27.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BF1201WR,135 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 10V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
на замовлення 990000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| BF1201WR,135 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BF1201WR,135 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 990000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
BF1201WR,135 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
BF1201WR,135 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 400MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Gain: 29dB Technology: MOSFET Noise Figure: 1dB Supplier Device Package: CMPAK-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 10 V Voltage - Test: 5 V Current - Test: 15 mA |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
BF1201WR,135 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Dual N-Channel 10V 30mA 200mW |
товару немає в наявності |