BF2040E6814HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Features of semiconductor devices: dual gate
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±10V
Open-loop gain: 23dB
Frequency: 800MHz
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Case: SOT143
Kind of channel: depletion
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 17.56 грн |
| 40+ | 11.20 грн |
| 100+ | 9.88 грн |
| 500+ | 9.06 грн |
| 1000+ | 8.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF2040E6814HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - BF2040E6814HTSA1 - HF-FET-Transistor, 8 V, 40 mA, 200 mW, SOT-143, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: -, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BF2040, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BF2040E6814HTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BF2040E6814HTSA1 | Infineon Technologies |
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BF2040E6814HTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)