BF5030WE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 3V SOT343
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 3 V
Voltage - Rated: 8 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Noise Figure: 1.3dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 24dB
Configuration: N-Channel
Frequency: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 25mA
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF5030WE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 3V SOT343, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 3 V, Voltage - Rated: 8 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-SOT343-3D, Noise Figure: 1.3dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Gain: 24dB, Configuration: N-Channel, Frequency: 800MHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 25mA, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BF5030WE6327HTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BF5030WE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
RF MOSFET Transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BF5030WE6327HTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF MOSFET Transistors
RF MOSFET Transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.