
BF5030WH6327XTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BF5030WH6327XTSA1 - BF5030 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF5030WH6327XTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: FET RF 8V 800MHZ SOT343, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Current Rating (Amps): 25mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 800MHz, Configuration: N-Channel, Gain: 24dB, Technology: MOSFET, Noise Figure: 1.3dB, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1, Voltage - Rated: 8 V, Voltage - Test: 3 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції BF5030WH6327XTSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BF5030WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BF5030WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Current Rating (Amps): 25mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 800MHz Configuration: N-Channel Gain: 24dB Technology: MOSFET Noise Figure: 1.3dB Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 3 V Current - Test: 10 mA |
товару немає в наявності |