BF771E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.37 грн |
6000+ | 6.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF771E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10dB ~ 15dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active.
Інші пропозиції BF771E6327HTSA1 за ціною від 7.14 грн до 26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BF771E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BF771E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BF771E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BF771E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BF771E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BF771E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 15dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
на замовлення 15171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BF771E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BF771E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT23 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 80mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.58W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BF771E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BF771E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BF771E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT23 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 80mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.58W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 8GHz |
товар відсутній |