Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BF823,215 за ціною від 3.32 грн до 30.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BF823,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 194957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BF823,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BF823,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO-236ABQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BF823,215 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 250V .05A PNP BJT |
на замовлення 9250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BF823,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BF823,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 194957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3304+ | 3.32 грн |
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7854+ | 4.50 грн |
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.50 грн |
| 17+ | 17.92 грн |
| 50+ | 12.89 грн |
| 100+ | 10.56 грн |
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 250V .05A PNP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT23 250V .05A PNP BJT
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






