Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BF823,215 за ціною від 3.35 грн до 25.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BF823,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 194957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BF823,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BF823,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 50mA; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 250V Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 60MHz Collector current: 50mA |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BF823,215 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 250V .05A PNP BJT |
на замовлення 9250 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BF823,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BF823,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 194957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3304+ | 3.35 грн |
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7854+ | 4.54 грн |
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 50mA; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 250V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 60MHz
Collector current: 50mA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 50mA; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 250V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 60MHz
Collector current: 50mA
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 24.89 грн |
| 50+ | 8.25 грн |
| 57+ | 7.26 грн |
| 166+ | 7.18 грн |
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 250V .05A PNP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT23 250V .05A PNP BJT
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 25.68 грн |
| 19+ | 16.06 грн |
| 100+ | 8.70 грн |
| 500+ | 5.85 грн |
| 1000+ | 5.19 грн |
| 3000+ | 4.02 грн |
| 6000+ | 3.80 грн |
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BF823,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






