BF888H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4V 47GHZ PG SOT-343
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 160mW
Gain: 27dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 47GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF888H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4V 47GHZ PG SOT-343, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Frequency - Transition: 47GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Power - Max: 160mW, Gain: 27dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BF888H6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BF888H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 2709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BF888H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)