Продукція > BF9 > BF998E6327HTSA1

BF998E6327HTSA1

BF998_Rev2007.pdf

Код товару: 186408

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції BF998E6327HTSA1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	BF998E6327HTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans RF FET N-CH 12V 0.03A Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R	на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	BF998E6327HTSA1	Виробник : INFINEON	Description: INFINEON - BF998E6327HTSA1 - HF-FET-Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	BF998E6327HTSA1	Виробник : INFINEON	Description: INFINEON - BF998E6327HTSA1 - HF-FET-Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	BF998E6327HTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: RF MOSFET 8V SOT143 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 45MHz Configuration: N-Channel Gain: 28dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 2.8dB Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	BF998E6327HTSA1	Виробник : Infineon Technologies	RF MOSFET Transistors N-CH 12 V 30 mA	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.