BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 10V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 45MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 27dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.1dB
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 10V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Current Rating (Amps): 30mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 45MHz, Configuration: N-Channel, Gain: 27dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Noise Figure: 2.1dB, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Voltage - Rated: 20 V, Voltage - Test: 10 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції BF999E6327HTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BF999E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Triode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BF999E6327HTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Triode
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Triode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.