BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 11102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 51.63 грн |
| 10+ | 43.92 грн |
| 100+ | 28.57 грн |
| 250+ | 26.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 10V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Current Rating (Amps): 30mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 45MHz, Configuration: N-Channel, Gain: 27dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Noise Figure: 2.1dB, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Voltage - Rated: 20 V, Voltage - Test: 10 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції BF999E6327HTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BF999E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans RF FET N-CH 20V 0.03A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BF999E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF FET N-CH 20V 0.03A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BF999E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF MOSFET 10V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 45MHz Configuration: N-Channel Gain: 27dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 2.1dB Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 20 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA |
товару немає в наявності |