BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 10V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 45MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 27dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.1dB
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
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Технічний опис BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BF999E6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 mA, SOT-23, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 30, Rds(on)-Messspannung Vgs: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 200, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: BF999, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): -, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
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| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BF999E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Triode |
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BF999E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BF999E6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 mA, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BF999 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): - Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BF999E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BF999E6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 mA, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BF999 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): - Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BF999E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF FET N-CH 20V 0.03A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BF999E6327HTSA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Triode
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| BF999E6327HTSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BF999E6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 mA, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BF999
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BF999E6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 mA, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Produktpalette: BF999
Wandlerpolarität: n-Kanal
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| BF999E6327HTSA1 |
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