Продукція > INFINEON > BFG235E6327

BFG235E6327 Infineon


Виробник: Infineon
NPN Uкэ 15В, Iк-150mА, GUM 16dB, P-1000mВт, 7GHz SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFG235E6327 Infineon

Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12.5dB, Power - Max: 2W, Current - Collector (Ic) (Max): 300mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V, Frequency - Transition: 5.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції BFG235E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFG 235 E6327 BFG 235 E6327 Infineon Technologies BFG235.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFG235E6327 onsemi / Fairchild Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFG 235 E6327 BFG 235 E6327 Infineon Technologies bfg235-337954.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF Trans DISCONTINUED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFG 235 E6327 BFG235.pdf
BFG 235 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFG235E6327
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFG 235 E6327 bfg235-337954.pdf
BFG 235 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF Trans DISCONTINUED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.