BFG10/X,215 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 1.9GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFG10/X,215 NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Gain: 7dB, Power - Max: 400mW, Current - Collector (Ic) (Max): 250mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 1.9GHz, Supplier Device Package: SOT-143B.
Інші пропозиції BFG10/X,215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFG10/X,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Gain: 7dB Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 250mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 1.9GHz Supplier Device Package: SOT-143B |
товару немає в наявності |
|
 |
BFG10/X,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors Single NPN 8V 250mA 400mW 25 |
товару немає в наявності |