BFG10W/X,115

BFG10W/X,115 NXP USA Inc.


BFG10W_X_Rev_Oct2010.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
Supplier Device Package: 4-SO
Frequency - Transition: 1.9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Power - Max: 400mW
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Packaging: Bulk
на замовлення 8162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
533+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFG10W/X,115 NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO, Supplier Device Package: 4-SO, Frequency - Transition: 1.9GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Current - Collector (Ic) (Max): 250mA, Power - Max: 400mW, Operating Temperature: 175°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BFG10W/X,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFG10W/X,115 BFG10W/X,115 Виробник : NXP USA Inc. BFG10W_X_Rev_Oct2010.pdf Description: RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
Supplier Device Package: 4-SO
Frequency - Transition: 1.9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Power - Max: 400mW
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.