
BFG10W/X,115 NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 1.9GHz
Supplier Device Package: 4-SO
на замовлення 8162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
533+ | 40.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFG10W/X,115 NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 400mW, Current - Collector (Ic) (Max): 250mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 1.9GHz, Supplier Device Package: 4-SO.
Інші пропозиції BFG10W/X,115
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFG10W/X,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BFG10W/X,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 250mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 1.9GHz Supplier Device Package: 4-SO |
товару немає в наявності |