BFG196-E6327

Виробник:

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис BFG196-E6327

Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 9dB ~ 14.5dB, Power - Max: 800mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V, Frequency - Transition: 7.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції BFG196-E6327

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BFG196 E6327	Виробник : INFINEON	SOT223	на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
BFG196E6327	Виробник : Infineon Technologies	Trans RF BJT NPN 12V 0.15A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BFG 196 E6327	Виробник : Infineon Technologies	Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB ~ 14.5dB Power - Max: 800mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BFG 196 E6327	Виробник : Infineon Technologies	Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BFG196E6327	Виробник : onsemi / Fairchild	Bipolar Transistors - BJT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.