BFG196-E6327
Виробник:
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFG196-E6327
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 9dB ~ 14.5dB, Power - Max: 800mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V, Frequency - Transition: 7.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції BFG196-E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BFG196 E6327 | Виробник : INFINEON | SOT223 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BFG196E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.15A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|
 |
BFG 196 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB ~ 14.5dB Power - Max: 800mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|
 |
BFG 196 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR |
товар відсутній |
|
| BFG196E6327 | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |