Технічний опис BFG198,115 NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 8GHz, Supplier Device Package: SC-73.
Інші пропозиції BFG198,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFG198,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Supplier Device Package: SC-73 |
товар відсутній |
|
 |
BFG198,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS |
товар відсутній |
|
| BFG198,115 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |