BFG35,115

Виробник:

на замовлення 275 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Відгуки про товар

Технічний опис BFG35,115

Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V, Frequency - Transition: 4GHz, Supplier Device Package: SC-73, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції BFG35,115

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
BFG35,115			на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів)
BFG35,115	Виробник : NXP Semiconductors	Trans RF BJT NPN 18V 0.15A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R	товар відсутній
BFG35,115	Виробник : NXP USA Inc.	Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 4GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete	товар відсутній
BFG35,115	Виробник : NXP USA Inc.	Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 4GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete	товар відсутній
BFG35,115	Виробник : NXP Semiconductors	RF Bipolar Transistors NPN 10V 150mA 4GHZ	товар відсутній
BFG35,115	Виробник : onsemi / Fairchild	Bipolar Transistors - BJT	товар відсутній