BFG410W,115 NXP Semiconductors
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1121+ | 10.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFG410W,115 NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 54mW, Current - Collector (Ic) (Max): 12mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 22GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Supplier Device Package: CMPAK-4.
Інші пропозиції BFG410W,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
BFG410W,115 Код товару: 133298
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||
 |
BFG410W,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.012A 54mW 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BFG410W,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 54mW Current - Collector (Ic) (Max): 12mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 22GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Supplier Device Package: CMPAK-4 |
товару немає в наявності |
|
 |
BFG410W,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS |
товару немає в наявності |