Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BFG410W,115

BFG410W,115

BFG410W.pdf
Код товару: 133298
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BFG410W,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFG410W,115 BFG410W,115 NXP USA Inc. BFG410W.pdf Description: RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4
Supplier Device Package: CMPAK-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Frequency - Transition: 22GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Power - Max: 54mW
Gain: 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFG410W,115 BFG410W,115 NXP Semiconductors BFG410W-1125704.pdf RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFG410W,115 BFG410W.pdf
BFG410W,115
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4
Supplier Device Package: CMPAK-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Frequency - Transition: 22GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Power - Max: 54mW
Gain: 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFG410W,115 BFG410W-1125704.pdf
BFG410W,115
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.