Технічний опис BFG480W,115
- TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R
- Transistor Type:Wideband
- Transistor Polarity:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:4.5V
- Max Current Ic Continuous a:80mA
- Power Dissipation:360mW
- Min Hfe:40
- Typ Gain Bandwidth ft:21GHz
- Case Style:SOT-343R
- Termination Type:SMD
- Operating Temperature Range:-65`C to +150`C
Інші пропозиції BFG480W,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFG480W,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 360mW 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
BFG480W,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 360mW Current - Collector (Ic) (Max): 250mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 80mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz Supplier Device Package: CMPAK-4 Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|
|
|
BFG480W,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 360mW Current - Collector (Ic) (Max): 250mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 80mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz Supplier Device Package: CMPAK-4 Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|
 |
BFG480W,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN 4.5V 21GHZ |
товар відсутній |
|
| BFG480W,115 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |