BFG520W,115 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 4-SO
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFG520W,115 NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4-SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V, Frequency - Transition: 9GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Supplier Device Package: 4-SO.
Інші пропозиції BFG520W,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFG520W,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS |
товару немає в наявності |
|
| BFG520W,115 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |