BFG520W/X,115 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4-SO
Supplier Device Package: 4-SO
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Power - Max: 500mW
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFG520W/X,115 NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4-SO, Supplier Device Package: 4-SO, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Frequency - Transition: 9GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Power - Max: 500mW, Operating Temperature: 175°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BFG520W/X,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFG520W/X,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN 70MA 15V 9GHZ |
товару немає в наявності |
|
| BFG520W/X,115 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |