Технічний опис BFG67,215
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 380mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Supplier Device Package: SOT-143B, Part Status: Obsolete. 
Інші пропозиції BFG67,215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
|   | BFG67,215 | Виробник : NXP Semiconductors |  Trans RF BJT NPN 10V 0.05A 380mW 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товару немає в наявності | |
|   | BFG67,215 | Виробник : NXP USA Inc. |  Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | |
|   | BFG67,215 | Виробник : NXP Semiconductors |  RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS | товару немає в наявності | |
| BFG67,215 | Виробник : Infineon Technologies |  Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності |