BFG67,215
Виробник:
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFG67,215
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-143B, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 380mW, Operating Temperature: 175°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BFG67,215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BFG67,215 | NXP |
SOT-143R (SMD) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
BFG67,215 | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-143B Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 380mW Operating Temperature: 175°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BFG67,215 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
BFG67,215 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BFG67,215 |
|
Виробник: NXP
SOT-143R (SMD) Транзистори
SOT-143R (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFG67,215 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-143B
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 380mW
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-143B
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 380mW
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFG67,215 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFG67,215 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.