BFL4001 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220FI
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 37W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FI(LS)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 85+ | 269.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFL4001 onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220FI, Packaging: Bag, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 3.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 37W (Tc), Supplier Device Package: TO-220FI(LS), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V.
Інші пропозиції BFL4001 за ціною від 375.34 грн до 375.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFL4001 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BFL4001 - BFL4001, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
BFL4001 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220FI Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 37W (Tc) Supplier Device Package: TO-220FI(LS) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |