Продукція > ONSEMI > BFL4026-1E
BFL4026-1E

BFL4026-1E onsemi

bfl4026-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 30 V
на замовлення 57583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
204+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 204
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFL4026-1E onsemi

Description: MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc), Supplier Device Package: TO-220F-3FS, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BFL4026-1E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFL4026-1E BFL4026-1E Виробник : ON Semiconductor BFL4026-D-1802766.pdf MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BFL4026-1E BFL4026-1E Виробник : ON Semiconductor 2827bfl4026-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
товар відсутній
BFL4026-1E BFL4026-1E Виробник : onsemi bfl4026-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 30 V
товар відсутній