Продукція > ONSEMI > BFL4026-1E

BFL4026-1E onsemi


bfl4026-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 30 V
на замовлення 56890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
216+91.80 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFL4026-1E onsemi

Description: MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220F-3FS, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V.

Інші пропозиції BFL4026-1E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFL4026-1E BFL4026-1E ON Semiconductor BFL4026-D-1802766.pdf MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFL4026-1E BFL4026-D-1802766.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.